พิมพ์หน้า
1,294 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
340 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
954 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB139.680 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 1
THB1,396.80
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIHH070N60EF-T1GE3
รหัสสินค้า3263504RL
Product RangeEF
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.071ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation202W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
SIHH070N60EF-T1GE3 is an EF series power MOSFET with fast body diode. It features the 4th generation E series technology. Application includes server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting (lighting), welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters) (industrial).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg, low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses, avalanche energy rated (UIS)
- Maximum power dissipation is 202W (TC = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 3 to 5V (TJ = 25°C, VDS = VGS, ID = 250μA)
- Drain-source breakdown voltage is 600V (VGS = 0V, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current (TJ = 150 °C) is 36A (TC = 25°C, VGS at 10V)
- Turn-on delay time is 36ns, fall time is 38ns (typ, VDD = 480V, ID = 15A, VGS = 10V, Rg = 9.1ohm)
- Diode forward voltage is 1.2V (TJ = 25 °C, IS = 15A, VGS = 0V)
- PowerPAK 8 x 8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004