พิมพ์หน้า
SIA533EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIA533EDJ-T1-GE3
รหัสสินค้า3772808RL
Product RangeTrench Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
5,368 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
5368 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB12.080 |
| 500+ | THB10.140 |
| 1000+ | THB9.240 |
| 5000+ | THB8.340 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,208.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSIA533EDJ-T1-GE3
รหัสสินค้า3772808RL
Product RangeTrench Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd7.8W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
7.8W
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SIA533EDJ-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001