พิมพ์หน้า
SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5513CDC-T1-GE3
รหัสสินค้า3772765RL
Product RangeTrench Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,261 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1261 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB12.380 |
| 500+ | THB9.510 |
| 1000+ | THB8.410 |
| 5000+ | THB7.310 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,238.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI5513CDC-T1-GE3
รหัสสินค้า3772765RL
Product RangeTrench Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd3.1W
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
ChipFET
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001