พิมพ์หน้า
SI4948BEY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 2.4 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4948BEY-T1-GE3
รหัสสินค้า1779277RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,871 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1871 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB25.620 |
| 500+ | THB20.280 |
| 1000+ | THB19.270 |
| 5000+ | THB18.260 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,562.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4948BEY-T1-GE3
รหัสสินค้า1779277RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.4W
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SI4948BEY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
การใช้งาน
Industrial, Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
2.4A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.4W
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Israel
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000127