พิมพ์หน้า
SI4559ADY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4559ADY-T1-GE3
รหัสสินค้า3772758RL
Product RangeTrench Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,964 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2964 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB36.250 |
| 500+ | THB30.080 |
| 1000+ | THB28.860 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB3,625.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI4559ADY-T1-GE3
รหัสสินค้า3772758RL
Product RangeTrench Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000383