พิมพ์หน้า
SI1965DH-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1965DH-T1-GE3
รหัสสินค้า3772742RL
Product RangeTrench Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
4,250 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4250 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB10.350 |
| 500+ | THB7.890 |
| 1000+ | THB6.430 |
| 5000+ | THB5.500 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,035.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1965DH-T1-GE3
รหัสสินค้า3772742RL
Product RangeTrench Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.315ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.315ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.315ohm
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.25W
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
On Resistance Rds(on)
0.315ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.315ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
1.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.315ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001