พิมพ์หน้า
TP65H050G4WS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP65H050G4WS
รหัสสินค้า4371967
Product RangeSuperGaN Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
255 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
255 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB467.800 |
| 5+ | THB383.470 |
| 10+ | THB299.140 |
| 50+ | THB292.600 |
| 100+ | THB286.060 |
| 250+ | THB279.510 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB467.80
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตRENESAS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTP65H050G4WS
รหัสสินค้า4371967
Product RangeSuperGaN Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge16nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
34A
Typical Gate Charge
16nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.24