พิมพ์หน้า
STO60N030M9
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 79 A, 0.03 ohm, TO-LL Type A2, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTO60N030M9
รหัสสินค้า4690212RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 18 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 10+ | THB270.530 |
| 50+ | THB252.730 |
| 100+ | THB234.920 |
| 250+ | THB230.230 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 1
THB2,705.30
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTO60N030M9
รหัสสินค้า4690212RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-LL Type A2
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation255W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
150°C
Continuous Drain Current Id
79A
Transistor Case Style
TO-LL Type A2
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001