พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTN1HNK60
รหัสสินค้า1752117RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
10,232 ในสต็อก
4,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
10232 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 50+ | THB22.240 |
| 250+ | THB17.620 |
| 1000+ | THB16.110 |
| 2000+ | THB15.500 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,224.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSTN1HNK60
รหัสสินค้า1752117RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance8.5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
การใช้งาน
Power Management, Lighting
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0002