พิมพ์หน้า
FDG6304P.
Dual MOSFET, P Channel, 25 V, 410 mA
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6304P.
รหัสสินค้า1653657
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6304P.
รหัสสินค้า1653657
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.04