พิมพ์หน้า
NTF2955T1G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTF2955T1G
รหัสสินค้า1453649
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
33,332 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1017 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
32315 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB48.740 |
| 10+ | THB33.820 |
| 50+ | THB24.180 |
| 200+ | THB21.630 |
| 500+ | THB19.070 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB48.74
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTF2955T1G
รหัสสินค้า1453649
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
NTF2955T1G is a single, P-channel power MOSFET. The applications include power supplies, PWM motor control, converters, and power management.
- Drain-to-source on resistance is 145mohm typ (VGS = -10V, ID = -0.75A)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -2.6A (TJ = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 2.3W (TJ = 25°C, steady state)
- Pulsed drain current is -17A (tp = 10µs, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V min (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ=25°C)
- Gate threshold voltage range from -2.0 to -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ=25°C)
- Forward transconductance is 1.77S typ (VGS = -15V, ID = -0.75A, TJ=25°C)
- Turn-on delay time is 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25V, ID = 1.5A, RG = 9.1ohm, RL = 25ohm)
- SOT-223 package, operating junction range from -55 to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ NTF2955T1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000124