พิมพ์หน้า
FDS8949
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS8949
รหัสสินค้า1324814RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
22,771 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
13754 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
9017 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB18.610 |
| 500+ | THB14.530 |
| 1000+ | THB14.460 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,861.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS8949
รหัสสินค้า1324814RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.029ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDS8949 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ FDS8949
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000111