พิมพ์หน้า
FDS6975.
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6975.
รหัสสินค้า9844902RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
467 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
467 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB27.280 |
| 500+ | THB21.840 |
| 1000+ | THB19.670 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,728.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6975.
รหัสสินค้า9844902RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.032ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.032ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000462