พิมพ์หน้า
FDS6912A
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6912A
รหัสสินค้า1095019RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
5,713 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
247 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
5466 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB15.050 |
| 500+ | THB12.310 |
| 1000+ | THB11.400 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,505.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6912A
รหัสสินค้า1095019RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000223