พิมพ์หน้า
FDS4935A
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 7 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS4935A
รหัสสินค้า1467981RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
10,120 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
10120 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB22.350 |
| 500+ | THB17.550 |
| 1000+ | THB16.210 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB2,235.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS4935A
รหัสสินค้า1467981RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.6W
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
การใช้งาน
Industrial, Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
7A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ FDS4935A
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000335