พิมพ์หน้า
FDMA1029PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMA1029PZ
รหัสสินค้า1324790RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
580 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
580 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB12.690 |
| 500+ | THB12.250 |
| 1000+ | THB11.810 |
| 5000+ | THB11.360 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,269.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMA1029PZ
รหัสสินค้า1324790RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Rds(on) Test Voltage1V
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleµFET
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.4W
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.4W
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
1V
Transistor Case Style
µFET
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0005