พิมพ์หน้า
FDMA1029PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMA1029PZ
รหัสสินค้า1324790
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
580 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
580 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB31.130 |
| 10+ | THB19.340 |
| 100+ | THB12.690 |
| 500+ | THB12.250 |
| 1000+ | THB11.810 |
| 5000+ | THB11.360 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB31.13
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMA1029PZ
รหัสสินค้า1324790
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0005