พิมพ์หน้า
FDG6304P
Dual MOSFET, P Channel, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6304P
รหัสสินค้า2453405RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,998 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2998 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
มีจนกว่าของจะหมด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB10.590 |
| 500+ | THB8.430 |
| 1500+ | THB7.120 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,059.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6304P
รหัสสินค้า2453405RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.85ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.85ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max820mV
Power Dissipation Pd300mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
410mA
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
820mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.85ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.85ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000028