พิมพ์หน้า
FDC6312P
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 2.3 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC6312P
รหัสสินค้า1700713RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
9,259 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
9259 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB15.440 |
| 500+ | THB10.990 |
| 1500+ | THB10.780 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,544.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC6312P
รหัสสินค้า1700713RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.115ohm
Continuous Drain Current Id P Channel2.3A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.115ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd960mW
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDC6312P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.3A Continuous drain/output current
- 7A Pulsed drain/output current
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
2.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
2.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.115ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
960mW
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ FDC6312P
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000145