พิมพ์หน้า
BUB323ZT4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUB323ZT4G
รหัสสินค้า1653614RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
722 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
722 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB57.130 |
| 500+ | THB48.340 |
| 1000+ | THB47.380 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB5,713.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUB323ZT4G
รหัสสินค้า1653614RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max350V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
DC Collector Current10A
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transition Frequency2MHz
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min500hFE
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
Power Dissipation Pd
150W
DC Collector Current
10A
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
500hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
350V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
150W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
2MHz
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001911