พิมพ์หน้า
MRF1513NT1
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MRF1513NT1 is a N-channel RF Power FET designed for broadband applications with frequencies to 520MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5V portable and 12.5V mobile FM equipment.
- Excellent thermal stability
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- 3W Output power
- 15dB Power gain
- 65% Efficiency
การใช้งาน
Industrial, Commercial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.25W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Continuous Drain Current Id
2A
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000352