พิมพ์หน้า
PSMN8R5-40HSX
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPSMN8R5-40HSX
รหัสสินค้า4078677RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,600 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1600 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB29.680 |
| 500+ | THB29.090 |
| 1000+ | THB25.250 |
| 5000+ | THB22.510 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,968.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPSMN8R5-40HSX
รหัสสินค้า4078677RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0085ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleLFPAK56D
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd53W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel53W
Power Dissipation P Channel53W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
53W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
53W
Power Dissipation N Channel
53W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000272