พิมพ์หน้า
PMDXB1200UPEZ
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPMDXB1200UPEZ
รหัสสินค้า2498566RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,470 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1470 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB10.010 |
| 500+ | THB8.610 |
| 1000+ | THB7.200 |
| 5000+ | THB5.110 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,001.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPMDXB1200UPEZ
รหัสสินค้า2498566RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel1.4ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleDFN1010B
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation Pd285mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel285mW
Power Dissipation P Channel285mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
410mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
285mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
1.4ohm
Transistor Case Style
DFN1010B
Power Dissipation Pd
285mW
Power Dissipation N Channel
285mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00007