พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUK7214-75B,118
รหัสสินค้า2777579RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUK7214-75B,118
รหัสสินค้า2777579RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.0126ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation158W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
ตัวเลือกสำหรับ BUK7214-75B,118
พบผลิตภัณฑ์จำนวน5
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
BUK7214-75B,118 is a N-channel TrenchMOS standard level FET. It is a standard-level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. Applications include 12V, 24V and 42V loads, automotive systems, general purpose power switching, motors, lamps and solenoids.
- AEC Q101 compliant
- Low conduction losses due to low on-state resistance
- Suitable for standard level gate drive sources
- Suitable for thermally demanding environments due to 185°C rating
- 3 leads plastic single-ended surface-mounted package (DPAK)
- Junction temperature range from -55 to 185°C
- Drain-source breakdown voltage is 75V at ID = 0.25mA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 33mohm at VGS = 10V; ID = 25A; Tj = 185°C
- Source-drain voltage is 1.2V at IS = 25A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 114ns
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
158W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0126ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000426