พิมพ์หน้า
IRLML6401-3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMULTICOMP PRO
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLML6401-3
รหัสสินค้า4655267RL
Product RangeMulticomp Pro MOSFET Transistros
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
8,565 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
8565 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 500+ | THB2.420 |
| 1000+ | THB2.140 |
| 5000+ | THB1.860 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 500
หลายรายการ: 5
THB1,210.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMULTICOMP PRO
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLML6401-3
รหัสสินค้า4655267RL
Product RangeMulticomp Pro MOSFET Transistros
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Rds(on) Test Voltage2V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro MOSFET Transistros
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRLML6401-3 is a P-Channel logic-level MOSFET designed for high-efficiency switching in compact applications. Housed in the space-saving SOT-23 package, this device offers excellent performance with low on-resistance and fast switching speeds. With a drain-to-source voltage of –20V and logic-level gate drive compatibility, the IRLML6401-3 is ideal for portable electronics, power management, and reverse polarity protection.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- I D: –3.7A (continuous)
- R DS(on): 0.055Ω max @ V<sub>GS</sub> = –4.5V
- Gate threshold voltage: –0.7V to –1.3V (logic-level drive)
- Low total gate charge (Q g): ~5.2nC typ
- Fast switching speed
- SOT-23 package – compact and thermally efficient
- RoHS compliant / Lead-free
- Logic-Level Drive: Operates fully with standard microcontroller GPIO outputs (2.5V–5V logic).
- High Efficiency: Low R DS(on) reduces power losses, improving battery life and thermal performance.
การใช้งาน
DC/DC Converters, Power Management, Motor Drive & Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Continuous Drain Current Id
4.3A
Rds(on) Test Voltage
2V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ IRLML6401-3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.098