พิมพ์หน้า
IXFR140N30P
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFR140N30Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต25 สัปดาห์
รหัสสินค้า1300091
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,067.910 |
| 5+ | THB919.810 |
| 10+ | THB771.700 |
| 50+ | THB713.220 |
| 100+ | THB654.740 |
| 250+ | THB641.650 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,067.91
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFR140N30Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต25 สัปดาห์
รหัสสินค้า1300091
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleISOPLUS-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXFR140N30P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- Silicon chip on direct-copper-bond substrate - High power dissipation and isolated mounting surface
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
- 2500V Electrical isolation voltage
การใช้งาน
Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
82A
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.005