พิมพ์หน้า
IRGB30B60KPBF
IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRGB30B60KPBF
รหัสสินค้า8659591
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001546084
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRGB30B60KPBF
รหัสสินค้า8659591
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001546084
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Collector Current78A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation370W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRGB30B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and rugged transient performance.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Low EMI
- Excellent current sharing in parallel operation
- 10µs Short-circuit capability
การใช้งาน
Consumer Electronics, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Collector Current
78A
Power Dissipation
370W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002