พิมพ์หน้า
IRFBA90N20DPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 98 A, 0.023 ohm, TO-273AA, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFBA90N20DPBF
รหัสสินค้า8658030
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFBA90N20DPBF
รหัสสินค้า8658030
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleTO-273AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation650W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
TO-273AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
650W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002