4,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB23.970 |
| 500+ | THB19.540 |
| 1000+ | THB15.060 |
| 5000+ | THB14.500 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF7342TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
P Channel
55V
3.4A
0.095ohm
3.4A
0.095ohm
0.095ohm
1V
8Pins
2W
-
-
No SVHC (25-Jun-2025)
P Channel
55V
55V
3.4A
Surface Mount
10V
SOIC
2W
2W
150°C
-
-
ตัวเลือกสำหรับ IRF7342TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์