พิมพ์หน้า
IRF7103TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7103TRPBF
รหัสสินค้า2467996RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001562004
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
177,775 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
177775 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
มีจนกว่าของจะหมด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 50+ | THB14.180 |
| 250+ | THB11.480 |
| 1000+ | THB10.420 |
| 2000+ | THB9.490 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,418.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF7103TRPBF
รหัสสินค้า2467996RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001562004
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.11ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ตัวเลือกสำหรับ IRF7103TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.11ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00031