พิมพ์หน้า
IRF60DM206
Power MOSFET, StrongIRFET™, N Channel, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF60DM206
รหัสสินค้า2781110
Product RangeStrongIRFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001561876
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
7,990 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
7990 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
มีจนกว่าของจะหมด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB86.930 |
| 10+ | THB72.980 |
| 100+ | THB57.420 |
| 500+ | THB52.230 |
| 1000+ | THB46.200 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB86.93
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRF60DM206
รหัสสินค้า2781110
Product RangeStrongIRFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001561876
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance2900µohm
Transistor Case StyleDirectFET ME
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
ตัวเลือกสำหรับ IRF60DM206
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
IRF60DM206 is a DirectFET® N-channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V (Min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 2.2mohm (typ, VGS = 10V, ID = 80A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 130A (max, ID at TC = 25°C)
- Gate-to-source forward leakage is 100nA/-100nA (max, VGS = 20V/VGS = -20V, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.8ohm (typ, TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 17ns (typ, VDD = 30V, TJ = 25°C)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
DirectFET ME
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000256