อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB352.200 |
| 5+ | THB327.020 |
| 10+ | THB301.840 |
| 50+ | THB269.400 |
| 100+ | THB236.950 |
| 250+ | THB232.220 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPW65R045C7 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET providing the world's lowest RDS (on) with low switching losses and efficiency improvements over the full load range. The new CoolMOS™ C7 series offers a ~50% reduction in turn-off losses (Eoss) compared to the CoolMOS™ CP, offering a GaN-like level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
- Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
- Lower gate charge
- Space-saving through reduction of parts
- Improved safety margin
- Lowest conduction losses
- Low switching losses
- Better light load efficiency
- Increasing power density
การใช้งาน
Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
46A
TO-247
10V
227W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
650V
0.04ohm
Through Hole
3.5V
3Pins
-
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IPW65R045C7FKSA1
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน5
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์