พิมพ์หน้า
IPG20N06S4L26ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPG20N06S4L26ATMA1
รหัสสินค้า2480844RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPG20N06S4L-26, SP000705588
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
10,830 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
187 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
10643 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 50+ | THB21.470 |
| 250+ | THB17.940 |
| 1000+ | THB16.010 |
| 3000+ | THB15.960 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,147.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIPG20N06S4L26ATMA1
รหัสสินค้า2480844RL
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIPG20N06S4L-26, SP000705588
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleTDSON
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd33W
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
33W
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TDSON
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001814