พิมพ์หน้า
IMBG40R025M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG40R025M2HXTMA1
รหัสสินค้า4538820
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG40R025M2H, SP006064661
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
992 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
992 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB315.700 |
| 5+ | THB275.310 |
| 10+ | THB234.920 |
| 50+ | THB215.320 |
| 100+ | THB195.710 |
| 250+ | THB191.800 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB315.70
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG40R025M2HXTMA1
รหัสสินค้า4538820
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG40R025M2H, SP006064661
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0321ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation214W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
IMBG40R025M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 25.4mohm RDS(on), 68A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.0321ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
214W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001