พิมพ์หน้า
IMBG40R015M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG40R015M2HXTMA1
รหัสสินค้า4538819RL
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG40R015M2H, SP006064660
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
960 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
960 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 10+ | THB330.880 |
| 50+ | THB303.360 |
| 100+ | THB275.840 |
| 250+ | THB270.330 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 10
หลายรายการ: 1
THB3,308.80
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIMBG40R015M2HXTMA1
รหัสสินค้า4538819RL
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
เป็นที่รู้จักกันในชื่อIMBG40R015M2H, SP006064660
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0191ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
IMBG40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.0191ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
341W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Drain Source Voltage Vds
400V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001