พิมพ์หน้า
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF3MR20W3M1HH11BPSA1
รหัสสินค้า4694663
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
11 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
11 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB15,286.890 |
| 5+ | THB14,333.430 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB15,286.89
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF3MR20W3M1HH11BPSA1
รหัสสินค้า4694663
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id275A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins52Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC. Potential applications include energy storage systems (ESS), EV charging, UPS systems, and solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low switching losses, high current density
- High current pin, PressFIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, integrated NTC temperature sensor
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 275A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 640A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 2.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 320A
- Total gate charge is 1.56 µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
275A
Drain Source On State Resistance
4100µohm
No. of Pins
52Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85365080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001