พิมพ์หน้า
FF11MR12W1M1B70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF11MR12W1M1B70BPSA1
รหัสสินค้า3755139
Product RangeCoolSiC Trench Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP004486464, FF11MR12W1M1_B70
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFF11MR12W1M1B70BPSA1
รหัสสินค้า3755139
Product RangeCoolSiC Trench Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP004486464, FF11MR12W1M1_B70
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0113ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FF11MR12W1M1B70BPSA1 is an EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT/NTC. Potential applications includes high frequency switching application, DC/DC converter, solar application, USP systems.
- High current density, low inductive design, low switching losses
- Integrated NTC temperature sensor, press FIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Improved ceramic substrate
- Drain-source voltage is 1200V (Tvj = 25°C)
- DC drain current is 100A (Tvj = 175°C, VGS = 15V, TH = 95°C)
- Zero gate voltage drain current is 040µA (typ, Tvj = 25°C, VDS = 1200V, VGS = -5V)
- Rise time, inductive load is 164ns (typ, VGS = -5V / 15V, Tvj = 125°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0113ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench Series
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.024721