พิมพ์หน้า
BSZ215CHXTMA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSZ215CHXTMA1
รหัสสินค้า3294674RL
Product RangeOptiMOS 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อBSZ215C H, SP001277210
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
22,358 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
22358 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 50+ | THB26.640 |
| 250+ | THB21.110 |
| 1000+ | THB18.970 |
| 3000+ | THB17.820 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,664.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSZ215CHXTMA1
รหัสสินค้า3294674RL
Product RangeOptiMOS 2 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อBSZ215C H, SP001277210
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.041ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.041ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Transistor Case StyleTSDSON
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
5.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.041ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.041ohm
Transistor Case Style
TSDSON
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
OptiMOS 2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000109