พิมพ์หน้า
DMP3028LSD-13
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMP3028LSD-13
รหัสสินค้า3944147RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
414 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
414 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB12.650 |
| 500+ | THB10.050 |
| 1000+ | THB7.710 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,265.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMP3028LSD-13
รหัสสินค้า3944147RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.3W
Power Dissipation P Channel1.3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.3W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation N Channel
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001