พิมพ์หน้า
DMN66D0LDW-7
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN66D0LDW-7
รหัสสินค้า3944134RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,890 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2890 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB11.920 |
| 500+ | THB9.170 |
| 1000+ | THB5.990 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB1,192.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN66D0LDW-7
รหัสสินค้า3944134RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)3.5ohm
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel5ohm
Rds(on) Test Voltage5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOT-363
Power Dissipation Pd250mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
115mA
On Resistance Rds(on)
3.5ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
250mW
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001