พิมพ์หน้า
DMHT10H032LFJ-13
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHT10H032LFJ-13
รหัสสินค้า3589313
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,486 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2486 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB55.790 |
| 10+ | THB38.600 |
| 100+ | THB37.310 |
| 500+ | THB36.660 |
| 1000+ | THB27.970 |
| 5000+ | THB25.040 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB55.79
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHT10H032LFJ-13
รหัสสินค้า3589313
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Rds(on) Test Voltage10V
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Power Dissipation900mW
Transistor Case StyleDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
900mW
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
DFN5045
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000121