พิมพ์หน้า
DMHC6070LSD-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.1 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC6070LSD-13
รหัสสินค้า3944082RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,888 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1888 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB23.890 |
| 500+ | THB22.440 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,389.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC6070LSD-13
รหัสสินค้า3944082RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id3.1A
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.6W
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001