200mW Darlington Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 200mW Darlington Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Darlington Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 65W, 40W, 1.3W & 1W Darlington Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Diodes Inc. & Rohm

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(6)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(8)

1-2 วัน(6)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(8)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Power Dissipation Pd

:

200mW

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	SSTA28T116	1680380 Data Sheet RoHS	ROHM Darlington Transistor NPN 80 V 200 mW 100 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB15.250 10+ THB11.680 100+ THB6.530 500+ THB4.940 1000+ THB3.350 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB76.25 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	80V	-	200mW	-	-	100mA	SOT-23	-	3Pins	10000hFE	Surface Mount	-	150°C	-
	2SD1383KT146B	2948343 Data Sheet RoHS	ROHM Darlington Transistor NPN 32 V 200 mW 300 mA SOT-346 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB12.770 100+ THB9.540 500+ THB7.500 1000+ THB5.800	ทั้งหมด:THB63.85 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	32V	-	200mW	-	-	300mA	SOT-346	-	3Pins	5000hFE	Surface Mount	-	150°C	-
	SSTA28T116	1680380RL Data Sheet RoHS	ROHM Darlington Transistor NPN 80 V 200 mW 100 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB6.530 500+ THB4.940 1000+ THB3.350 5000+ THB3.290	ทั้งหมด:THB653.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	80V	80V	200mW	100mA	200mW	100mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	10000hFE	Surface Mount	200MHz	150°C	10000hFE
	2SD1383KT146B	2948343RL Data Sheet RoHS	ROHM Darlington Transistor NPN 32 V 200 mW 300 mA SOT-346 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB9.540 500+ THB7.500 1000+ THB5.800	ทั้งหมด:THB954.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	32V	32V	200mW	300mA	200mW	300mA	SOT-346	SOT-346	3Pins	5000hFE	Surface Mount	250MHz	150°C	5000hFE
	MMSTA14-7-F	3943307 Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 30 V 200 mW 300 mA SOT-323 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB12.210 10+ THB7.590 100+ THB4.800 500+ THB3.580 1000+ THB2.650 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB61.05 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	-	200mW	-	-	300mA	SOT-323	-	3Pins	20000hFE	Surface Mount	-	150°C	-
	MMSTA14-7-F	3943307RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 30 V 200 mW 300 mA SOT-323 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB4.800 500+ THB3.580 1000+ THB2.650 5000+ THB1.930	ทั้งหมด:THB480.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	200mW	300mA	200mW	300mA	SOT-323	SOT-323	3Pins	20000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	20000hFE
	MMST6427-7-F	3943304RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 40 V 200 mW 500 mA SOT-323 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB4.890 500+ THB3.640 1000+ THB2.860 5000+ THB1.970	ทั้งหมด:THB489.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	40V	40V	200mW	500mA	200mW	500mA	SOT-323	SOT-323	3Pins	14000hFE	Surface Mount	-	150°C	14000hFE
	MMST6427-7-F	3943304 Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 40 V 200 mW 500 mA SOT-323 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB12.450 10+ THB7.740 100+ THB4.890 500+ THB3.640 1000+ THB2.860 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB62.25 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	40V	-	200mW	-	-	500mA	SOT-323	-	3Pins	14000hFE	Surface Mount	-	150°C	-

รายการต่อหน้า:

1-8 จาก 8 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI