พิมพ์หน้า
NTR4502PT1G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTR4502PT1G
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442260
ม้วนตัดแบ่ง1431308RL
เทปตัด1431308
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
14,185 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
14185 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB5.410 |
| 50+ | THB4.800 |
| 100+ | THB4.190 |
| 500+ | THB3.830 |
| 1500+ | THB3.760 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB2.560 |
| 9000+ | THB2.530 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTR4502PT1G
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442260
ม้วนตัดแบ่ง1431308RL
เทปตัด1431308
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.95A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTR4502PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -1.95A continuous drain current. It is suitable for DC to DC conversion, load/power switch for portables and computing, motherboard, notebooks, camcorders, digital cameras and battery charging circuits.
- Leading planar technology for low gate charge/fast switching
- Low RDS (ON) for low conduction losses
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
การใช้งาน
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.95A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ NTR4502PT1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000037