พิมพ์หน้า
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Booster, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
รหัสสินค้า4694658
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
16 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
16 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB2,268.920 |
| 5+ | THB2,075.010 |
| 10+ | THB1,881.090 |
| 50+ | THB1,841.430 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB2,268.92
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDF17MR12W1M1HFB86BPSA1
รหัสสินค้า4694658
Product RangeEasyPACK Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationBooster
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins21Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. It is ideal for solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, high current density
- PressFIT contact technology, integrated NTC temperature sensor
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 50A at TH = 80°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 100A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 16.2mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 50A
- Total gate charge is 0.149µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Booster
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
21Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001