103A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules | element14 Thailand

ค้นหา 103A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules ไว้หลากหลาย เช่น 30A, 40A, 17A & 31A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Infineon, Microchip & Onsemi

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(5)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(6)

1-2 วัน(5)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(6)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Drain Current Id

:

103A

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	NTHL020N120SC1	3367855 Data Sheet RoHS	ONSEMI Silicon Carbide MOSFET EliteSiC Single N Channel 103 A 1.2 kV 0.02 ohm TO-247		Each	1+ THB1,664.720 5+ THB1,498.250 10+ THB1,409.460 50+ THB1,309.580 100+ THB1,220.790	ทั้งหมด:THB1,664.72 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	1.2kV	0.02ohm	TO-247	3Pins	20V	2.7V	535W	175°C	EliteSiC Series
	MSC025SMA120B4	3941427 Data Sheet RoHS	MICROCHIP Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 103 A 1.2 kV 0.025 ohm TO-247		Each	1+ THB1,172.490 25+ THB1,080.110	ทั้งหมด:THB1,172.49 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	1.2kV	0.025ohm	TO-247	4Pins	20V	2.8V	500W	175°C	-
	IMDQ75R016M2HXTMA1	4733916 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 103 A 750 V 0.014 ohm HDSOP		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB502.150 5+ THB429.010 10+ THB355.870 50+ THB343.120 100+ THB330.370 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB502.15 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	750V	0.014ohm	HDSOP	22Pins	20V	5.6V	394W	175°C	CoolSiC G2 Series
	AIMDQ75R016M2HXTMA1	4733911 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET AEC-Q101 Single N Channel 103 A 750 V 0.014 ohm HDSOP		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB614.750 5+ THB526.300 10+ THB437.850 50+ THB425.600 100+ THB413.350 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB614.75 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	750V	0.014ohm	HDSOP	22Pins	20V	5.6V	394W	175°C	CoolSiC G2 Series
	IMZA65R015M2HXKSA1	4378743 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 103 A 650 V 0.0132 ohm TO-247		Each	1+ THB550.050 5+ THB445.530 10+ THB341.010 50+ THB340.370 100+ THB339.720 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB550.05 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	650V	0.0132ohm	TO-247	4Pins	20V	5.6V	341W	175°C	CoolSiC Gen 2 Series
	MSC025SMA120B	3941426 Data Sheet RoHS	MICROCHIP Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 103 A 1.2 kV 0.025 ohm TO-247		Each	1+ THB1,314.670 25+ THB1,212.460	ทั้งหมด:THB1,314.67 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	Single	N Channel	103A	1.2kV	0.025ohm	TO-247	3Pins	20V	2.8V	500W	175°C	-

รายการต่อหน้า:

1-6 จาก 6 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI