พิมพ์หน้า
IXFH6N100F
RF FET Transistor, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS RF
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH6N100F
รหัสสินค้า1347754
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS RF
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH6N100F
รหัสสินค้า1347754
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Drain Current Id6A
Power Dissipation180W
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
ตัวเลือกสำหรับ IXFH6N100F
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Drain Current Id
6A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Power Dissipation
180W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน5
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.006