พิมพ์หน้า
IXFT28N50F
RF FET Transistor, 500 V, 28 A, 315 W, 500 kHz, TO-268
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS RF
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFT28N50F
รหัสสินค้า1347760
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS RF
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFT28N50F
รหัสสินค้า1347760
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id28A
Power Dissipation315W
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleTO-268
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
315W
Transistor Case Style
TO-268
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Continuous Drain Current Id
28A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004