พิมพ์หน้า
IXTN660N04T4
MOSFET Transistor, N Channel, 660 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTN660N04T4
รหัสสินค้า4060239
Product RangeTrenchT4 Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTN660N04T4
รหัสสินค้า4060239
Product RangeTrenchT4 Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id660A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source On State Resistance850µohm
Transistor Case StyleSOT-227
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor MountingModule
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangeTrenchT4 Series
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
1.04kW
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
660A
Drain Source On State Resistance
850µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchT4 Series
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.044452