พิมพ์หน้า
CSD86356Q5DT
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD86356Q5DT
รหัสสินค้า2885447RL
Product RangeNexFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
459 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
459 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
มีจนกว่าของจะหมด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 500+ | THB54.300 |
| 1000+ | THB46.780 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
จำนวนสูงสุดที่พร้อมใช้งานคือ 459
ขั้นต่ำ: 500
หลายรายการ: 1
THB27,150.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD86356Q5DT
รหัสสินค้า2885447RL
Product RangeNexFET Series
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id40A
Continuous Drain Current Id N Channel40A
On Resistance Rds(on)0.0018ohm
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1800µohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Transistor Case StyleSON
Power Dissipation Pd12W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel12W
Power Dissipation P Channel12W
Operating Temperature Max125°C
Product RangeNexFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SON
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
12W
Product Range
NexFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
Power Dissipation Pd
12W
Power Dissipation N Channel
12W
Operating Temperature Max
125°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0001